Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.
Homeຜະລິດຕະພັນອຸປະກອນເສີມແບບໂມດູນອຸດສາຫະກໍາຂໍ້ສະເຫນີກ່ຽວກັບລະຫັດຄວາມຈໍາ DDR3 udimm

ຂໍ້ສະເຫນີກ່ຽວກັບລະຫັດຄວາມຈໍາ DDR3 udimm

ປະເພດການຈ່າຍເງິນ:
L/C,T/T,D/A
Incoterm:
FOB,EXW,CIF
Min ຄໍາສັ່ງ:
1 Piece/Pieces
ການຂົນສົ່ງ:
Ocean,Air,Express,Land
Share:
Chat Now
  • ລາຍະລະອຽດສິນຄ້າ
Overview
ຄຸນລັກສະນະຂອງ...

ຮຸ່ນ NoNSO4GU3AB

ຄວາມສາມາດໃນກາ...

ການຂົນສົ່ງOcean,Air,Express,Land

ປະເພດການຈ່າຍເງິນL/C,T/T,D/A

IncotermFOB,EXW,CIF

ການຫຸ້ມຫໍ່ແລະ...
ໜ່ວຍ ງານຂາຍ:
Piece/Pieces

4GB 1600MHZ 240-PIN PIN DDR3 UDMMM


ປະຫວັດການດັດແກ້

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

ຕາຕະລາງຂໍ້ມູນຂ່າວສານ

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


ລາຍລະອຽດ
Hengstar unbuffer d dimm dimms (ອັດຕາຄວາມຈໍາຄູ່ສອງຢ່າງທີ່ບໍ່ໄດ້ຮັບການປະຕິບັດຢູ່ໃນໂມດູນຄວາມຈໍາຕໍ່າ) NS04CU3A3AZ ແມ່ນ 5124-bit ສອງອັນດັບ 4GB DDR3-1600 CR11 1.5V Undrafered ຜະລິດຕະພັນ Dumm ທີ່ບໍ່ມີປະໂຫຍດ. SPD ແມ່ນຖືກຈັດຕັ້ງໃຫ້ເປັນມາດຕະຖານຂອງ JEDEC ມາດຕະຖານ Latency DDR3-1600 ໄລຍະເວລາ 11-11-11 ທີ່ 1.5V. ແຕ່ລະ 240-pin dimm dimm ໃຊ້ນິ້ວມືຕິດຕໍ່ຄໍາ. DAMM ທີ່ບໍ່ໄດ້ຮັບການເຮັດວຽກທີ່ບໍ່ໄດ້ຮັບການເຮັດວຽກທີ່ບໍ່ໄດ້ຮັບການໃຊ້ສໍາລັບການນໍາໃຊ້ເປັນຫນ່ວຍຄວາມຈໍາຫລັກໃນເວລາທີ່ຕິດຕັ້ງໃນລະບົບຕ່າງໆເຊັ່ນ: ເຄື່ອງຄອມພີວເຕີ້ແລະສະຖານີເຮັດວຽກ.


ຄຸນ​ລັກ​ສະ​ນະ
ການສະຫນອງpower: VDD = 1.5V (1.425V ຫາ 1.575V)
vddq = 1.5V (1.425V ຫາ 1.575V)
800MHz FCK ສໍາລັບ 1600MB / SEC / PIN
8ທະນາຄານພາຍໃນເອກະລາດ
programmable CAS Latency: 11, 10, 9, 8, 7, 7, 6
ຄວາມທົນທານຕໍ່ການເພີ່ມເຕີມ propargrammable: 0, CL - 2, ຫຼື CL - 1 ໂມງ
8-bit pre-fetch
ຄວາມຍາວຂອງຄວາມຍາວ: 8 (interleave ໂດຍບໍ່ມີຂໍ້ຈໍາກັດ, ເປັນລະດັບທີ່ມີການເລີ່ມຕົ້ນ "000" ທີ່ບໍ່ອະນຸຍາດໃຫ້ອ່ານຫຼືຂຽນໄດ້
bi-dataInal dataialal data introdalial strobe
ການສອບທຽບ (ຕົນເອງ); ການສອບທຽບຕົນເອງພາຍໃນຜ່ານ PIN ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
onເສຍຊີວິດການຢຸດເຊົາໂດຍໃຊ້ PIN ODT
ການຮັກສາໄລຍະເວລາທີ່ສົດຊື່ນ 7.8US ຕ່ໍາກ່ວາທີ່ຕ່ໍາກ່ວາ tcase ° C, 3.9us ທີ່ 85 ° C <tcase <95 ° C
ການຕັ້ງຄ່າsynchronous
adjustable-output Output RING ຄວາມເຂັ້ມແຂງ
fly - ໂດຍ topology
pCB: ຄວາມສູງ 1.18 "(30mm)
rohsປະຕິບັດຕາມແລະ halogen ຟຣີ


ຕົວກໍານົດເວລາທີ່ສໍາຄັນ

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


ຕາຕະລາງທີ່ຢູ່

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


ລາຍລະອຽດ PIN

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

ຫມາຍເຫດ : ລາຍລະອຽດຂອງ Pin Tescape ຢູ່ລຸ່ມນີ້ແມ່ນບັນຊີລາຍຊື່ທີ່ສົມບູນແບບຂອງທຸກເຂັມທີ່ເປັນໄປໄດ້ສໍາລັບໂມດູນ DDR3 ທັງຫມົດ. pins ທັງຫມົດທີ່ລະບຸໄວ້ອາດຈະ ບໍ່ໄດ້ຮັບການສະຫນັບສະຫນູນກ່ຽວກັບໂມດູນນີ້. ເບິ່ງການມອບຫມາຍ PIN ສໍາລັບຂໍ້ມູນສະເພາະກັບໂມດູນນີ້.


ແຜນວາດຕັນທີ່ເຮັດວຽກ

4GB, ໂມດູນ 512mx64 (xrank ຂອງ x8)

1


2


ຫມາຍ​ເຫດ​:
1. ປຸ່ມ ZQ ໃນແຕ່ລະສ່ວນປະກອບຂອງ DDR3 ແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ກັບ±1ω± 1% resistor ທີ່ຖືກຕິດກັບພື້ນດິນ. ມັນໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບການສອບທຽບຂອງການຢຸດເຊົາກ່ຽວກັບການສິ້ນສຸດຂອງສ່ວນປະກອບຂອງສ່ວນປະກອບແລະຜົນຜະລິດ.



ຂະຫນາດໂມດູນ


ທັດສະນະດ້ານຫນ້າ

3

ທັດສະນະດ້ານຫນ້າ

4

ຫມາຍເຫດ:
1. ຂອບເຂດ 1.ALL ແມ່ນຢູ່ໃນມີລີແມັດ (ນິ້ວ); Max / Min ຫຼືທໍາມະດາ (ປະເພດ) ບ່ອນທີ່ສັງເກດເຫັນ.
2.Tolerance ກ່ຽວກັບທຸກໆຂະຫນາດ± 0.15mm ເວັ້ນເສຍແຕ່ໄດ້ລະບຸໄວ້.
3.The ແຜນວາດມິຕິແມ່ນສໍາລັບການອ້າງອີງເທົ່ານັ້ນ.

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ : ອຸປະກອນເສີມແບບໂມດູນອຸດສາຫະກໍາ

Email to this supplier
  • *Subject:
  • *To:
    Mr. Jummary
  • *ອີເມວ:
  • *ຂໍ້ຄວາມ:
    ຂໍ້ຄວາມຂອງທ່ານຕ້ອງຢູ່ລະຫວ່າງ 20-8000 ຕົວອັກສອນ
Homeຜະລິດຕະພັນອຸປະກອນເສີມແບບໂມດູນອຸດສາຫະກໍາຂໍ້ສະເຫນີກ່ຽວກັບລະຫັດຄວາມຈໍາ DDR3 udimm
ສົ່ງສອບຖາມ
*
*

ຫນ້າທໍາອິດ

Product

Phone

ກ່ຽວ​ກັບ​ພວກ​ເຮົາ

ສອບຖາມ

ພວກເຮົາຈະຕິດຕໍ່ຫາທ່ານຢ່າງໄວວາ

ຕື່ມຂໍ້ມູນໃສ່ໃນຂໍ້ມູນເພີ່ມເຕີມເພື່ອໃຫ້ໄດ້ຮັບການສໍາພັດກັບທ່ານໄວຂື້ນ

ຖະແຫຼງການຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ: ຄວາມເປັນສ່ວນຕົວຂອງທ່ານມີຄວາມສໍາຄັນຫຼາຍຕໍ່ພວກເຮົາ. ບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາສັນຍາວ່າຈະເປີດເຜີຍຂໍ້ມູນສ່ວນຕົວຂອງທ່ານໃຫ້ກັບການອະນຸຍາດທີ່ຊັດເຈນຂອງທ່ານ.

ສົ່ງ